آی سی های دیجیتال CMOS ساده و ارزان قیمت بوده و جریان مصرفی آنها در حال سکون نزدیک صفر می باشد.همچنین امپدانس ورودی بسیار بالایی داشته و می توانند با محدوده وسیعی از ولتاژ تغذیه نیز کار کند درنتیجه کار با آنها بسیار ساده می باشد.در اوایل دهه ۱۹۷۰آی سی های کاربردی CMOSبا نام سری ۴۰۰۰ و به صورت خانواده ای جدید از آی سی های با سرعت متوسط ارائه شدند که چشم انداز اقتصادی درخشانی را به دنبال داشت.سرعت عملکرد این خانواده جدید به اندازه آی سی های سریع TTL(سر نام کلمات Transistor-Transistor-Logic) نبود آی سی های TTL که رقیب CMOSبه شمار می آمدنددر آن زمان تحت نام سری۷۴ ارائه می شدند.اما در اواسط دهه ۱۹۸۰نوع جدیدی از CMOS سریع تولید شد که عملکرد آن ازTTL نیز بهتر بود.این سری از آی سی های CMOS به عنوان عضو جدیدی از تراشه های سری ۷۴معرفی شدند.مزایای این نوع جدید CMOS بسیارزیاد بود به طوری که از سال ۱۹۹۴ تراشه های CMOS سری ۷۴ نست به TTLعمومیت بیشتری پیدا کرده و امروزه CMOSرایج ترین تکنولوژی در آی سی های منطقی موجود در بازار به شمار می آید. جریان مصرفی آی سی های CMOSجدید در حالت سکون معمولا۰٫۰۱میکرو آمپر می باشد .ای سی های CMOSسری۴۰۰۰را می توان با ولتاژتغذیه ۳-۱۵ولت و سری ۷۴را می توان با ولتاژ تغذیه ۲-۶ولت مورد استفاده قرار داد.امپدانس ورودی این مدارهای مجتمع در محدوده میلیون اهم بوده و ایمنی این آی سی ها در مقابل نویز بسیار عالی می باشد English text Complementary metal–oxide–semiconductor (CMOS) /ˈsiːmɒs/ is a technology for constructing integrated circuits. CMOS technology is used in microprocessors, microcontrollers, static RAM, and other digital logic circuits. CMOS technology is also used for several analog circuits such as image sensors (CMOS sensor), data converters, and highly integrated transceivers for many types of communication. Frank Wanlass patented CMOS in 1963 (US patent 3,356,858). CMOS is also sometimes referred to as complementary-symmetry metal–oxide–semiconductor (or COS-MOS).[1] The words “complementary-symmetry” refer to the fact that the typical design style with CMOS uses complementary and symmetrical pairs of p-type and n-type metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs) for logic functions.[2] Two important characteristics of CMOS devices are high noise immunity and low static power consumption. Since one transistor of the pair is always off, the series combination draws significant power only momentarily during switching between on and off states. Consequently, CMOS devices do not produce as much waste heat as other forms of logic, for example transistor–transistor logic (TTL) or NMOS logic, which normally have some standing current even when not changing state. CMOS also allows a high density of logic functions on a chip. It was primarily for this reason that CMOS became the most used technology to be implemented in VLSI chips. The phrase “metal–oxide–semiconductor” is a reference to the physical structure of certain field-effect transistors, having a metal gate electrode placed on top of an oxide insulator, which in turn is on top of a semiconductor material. Aluminium was once used but now the material is polysilicon. Other metal gates have made a comeback with the advent of high-k dielectric materials in the CMOS process, as announced by IBM and Intel for the 45 nanometer node and beyond منبع:انجمن مهندسی پزشکی
