سازنده تراشه ها و حافظه های نیمه هادی در کره جنوبی از پیشرفته ترین ماژول رم ساخته شده خود در قالب نسل چهارم حافظه های double data rate با ظرفیت 128 گیگابایت رونمایی کرد. حافظه جدید بر مبنای تکنولوژی TSV یا به اصطلاح گذرگاه سیلیکونی که باعث ساخت مدارهای سه بعدی بر روی ویفر حافظه می گردد ساخته شده است و بطور چشمگیری سرعت حافظه و پتانسیل کاری آن را بالا می برد. تکنولوژی TSV همچنین به ماژول های حافظه DRAM این اجازه را می دهد تا با ولتاژ کاری بالاتری به جابجایی داده بپردازند. بر اساس اطلاعات داده شده از سوی سازنده این حافظه قادر است تا به سرعت 2133 مگابیت بر ثانیه و در مقایسه با سرعت 1333 مگابیتی حافظه های DDR3 دست یابد. همچنین ولتاژ مورد نیاز برای کار در این ماژول ها بر خلاف ولتاژ 1.35 ولتی نسل قبل تنها 1.2 ولت خواهد بود. انتظار می رود تولید انبوه این حافظه 128 گیگابایتی در نیمه اول سال 2015 میلادی آغاز شود. [h=4][/h]
