پژوهشگراني از «نوکيا» و دانشگاه «کمبريج» انگلستان يک مدار تريستور - گونه درست کرده‌اند كه شامل يک ترانزيستور نانوسيمي جفت‌شده «CNWT» است و از دو ترانزيستور اثر ميداني با برهم‌کنش متقابل ساخته شده است. به گزارش سرويس فناوري ايسنا، اين «CNWT» با رديف کردن دو نانوسيم در طول درازاي کامل‌شان از طريق يک فرآيند خود- هم‌راستاکننده ساخته مي‌شود. اين روش جديد در عين حال يک مدار جريان کار کاملا تابعي توليد مي‌کند که ممکن است در پردازش سيگنال براي کاربردهاي محاسبات آنالوگ مفيد باشد. چپ: نانوسيم بالا مانند يک ماسک قلمزني رفتار مي‌کند و شکلش در لايه سيلکوني زيرين بازتوليد مي‌شود و الکترود D تنها به منظور مشخصه‌يابي الکتريکي اضافه شده است، ولي يک مولفه ضروري براي اين افزاره نيست؛ وسط: شمايي از يک مدار الکتريکي «CNWT»: دو FET که با يک معماري نانوسيمي پشته‌شده‌ي خود- هم‌راستا بصورت مجتمع درآمده‌اند؛ راست: پردازش سيگنال آنالوگ با استفاده از «CNWT» روش ليتوگرافي نانوسيمي (NWL) ترکيبي از تکنيک‌هاي پايين- بالا و بالا- پايين است. در «NWL» از نانوسيم‌هاي رشديافته شيميايي به عنوان ماسک‌هايي استفاده مي‌شود و اين روش قبلا براي ساخت افزاره‌هاي الکترونيکي ساده از فلزات و حتي گرافن استفاده شده است. اکنون، «آندرآ فراري» از دانشگاه کمبريج و همکارانش از «NWL» براي ساخت مدار يک تريستور-گونه استفاده کرده‌اند. تريستورها، افزاره‌هاي الکترونيکي هستند که عموما داراي پشته‌اي از سه اتصال‌هاي n-p هستند. «CNWT» که اين مدار را مي‌سازد، يک تريستور نيمه‌رساناي اکسيد فلزي (CMOS) است که يک عنصر مداري مهم در عناصر تأخيري کم‌توان محسوب مي‌شود. «فراري» توضيح داد: ما به گونه‌اي پيش رفتيم که توابع الکتريکي را گسترده‌تر از مورد سوييچ‌هاي ساده، در اين آجربناي نانومقياس منفرد تعبيه کنيم. اين آجربنا از طريق يک فرآيند خود- هم‌راستاکننده به طور طبيعي شکل مي‌گيرد، نه اينکه از طريق روش‌هاي بالا- پايين آرايش مي‌يابد. خود «CNWT» از دو نانوسيم ساخته مي‌شود؛ يکي رشد يافته و ديگري قلمزني شده بر روي ويفر سيلکون - روي- عايق با استفاده از اولين نانوسيم به عنوان يک ماسک. وي افزود: فرايند ساخت ما همچنين با فرايند متداول بالا- پايين سازگار است، ولي فقط به يک مرحله ليتوگرافي منفرد براي تعريف تمام الکترودها نياز دارد. مزيت رهيافت ما اين است که به ما اجازه ساخت مدار کاري و نه فقط يک مولفه معمولي (مانند ترانزيستور يا ديود ساده) با پشته‌سازي عمودي نانوسيم‌ها را مي‌دهد. اين پژوهشگران، جزئيات نتايج کار تحقيقاتي خود را در مجله‌ي «ACS Nano» منتشر کرده‌اند.
